Objectifs
Au terme de cette activité, l'étudiant sera en mesure de connaître les technologies avancées de la microélectronique et les fondements de la nanoélectronique et les perspectives de leur développement.
Contenu
Les matériaux en microélectronique et nanoélectronique. Les propriétés électroniques et quantiques des matériaux. Méthodes avancées d'analyse des matériaux (ellipsométrie spectroscopique, microscope à balayage électronique, microscope à transmission électronique, microscope à force atomique). Les techniques de micro et nanoélectronique : dépôt de matériaux (méthodes physiques : évaporation, pulvérisation, ablation laser, épitaxie à faisceau moléculaire et méthodes chimiques : épitaxie et dépôt de vapeur chimique), lithographie (litho optique, lithographies avancées : extrême ultraviolet, rayons X, faisceau d'électrons, faisceau d'ions), gravure (à phase liquide et ionique), métallisation (aluminium, silicides, cuivre double damascène). Le transistor MOSFET, son modèle et ses caractéristiques avancées. Les limites de la technologie MOSFET. Les effets du canal court, les effets de l'épaisseur nanométrique du diélectrique de grille. Les matériaux de grille hi-k. Les technologies SOI, Si-Ge. La carte de route internationale des semi-conducteurs. Les technologies post-MOSFET. Les outils de conception des circuits intégrés. Les mémoires RAM. Les stockages de données de masse (disques durs, DVD). Les affichages à cristal liquide, à plasma et à émission de champ, les DEL organiques. Les effets quantiques dans les dispositifs électroniques. Les nano dots. Les nanotubes à carbone.